ความต้องการด้านการประมวลผลสำหรับโมเดล AI ขนาดใหญ่ (LLMs), Agentic AI และงานวิเคราะห์ Big Data ผลักดันให้ผู้ผลิตหน่วยความจำต้องเร่งพัฒนาเทคโนโลยีให้ทัน ล่าสุด Micron ประกาศความสำเร็จครั้งสำคัญด้วยการสาธิตโมดูลแรม 512 GB DDR5 RDIMM ต่อแถวเป็นครั้งแรกของโลก พร้อมทำความเร็วในการส่งข้อมูลได้สูงถึง 9,200 MT/s
สเปกและความจุระดับมอนสเตอร์
โมดูลแรมรุ่นใหม่นี้ผลิตขึ้นด้วยเทคโนโลยี Vertical Interconnect Packaging โดยนำชิป DRAM มาวางซ้อนกันในแนวตั้งและเชื่อมต่อผ่าน Through-Silicon Vias (TSVs) ช่วยเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำสูงสุดโดยไม่ลดทอนประสิทธิภาพ
- ความจุรวมระบบ: เซิร์ฟเวอร์แบบ 2 ซ็อกเก็ต 24 สล็อต สามารถอัดแรมรวมกันได้สูงสุดถึง 12 TB
- ความเร็วบัส: ทำความเร็วได้สูงสุดถึง 9,200 MT/s
- ประหยัดพลังงาน: ลดการใช้พลังงานลงมากกว่า 60% เมื่อเทียบกับการใช้แรมขนาด 128 GB จำนวน 4 แถว
- ประสิทธิภาพ: ยกระดับเวิร์กโหลดงานวิเคราะห์ข้อมูลแบบ In-memory เช่น Spark SVM ได้แรงขึ้นถึง 1.4 เท่า เมื่อเทียบกับระบบที่ใช้แรม 256 GB พร้อมเพิ่ม Throughput ให้กับฐานข้อมูลอย่าง Redis และ RocksDB อย่างมีนัยสำคัญ
จับมือสองยักษ์ใหญ่ Intel และ AMD
ปัจจุบันทั้ง AMD และ Intel กำลังร่วมมือกับ Micron เพื่อทดสอบและตรวจสอบความเข้ากันได้บนแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ยุคถัดไป เพื่อให้พร้อมรองรับงาน Data Center ระดับองค์กร
สำหรับราคาจำหน่ายอย่างเป็นทางการยังไม่มีการเปิดเผยออกมา แต่เนื่องจากเป็นสินค้าเกรด Enterprise สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่ คาดว่าตัวเลขน่าจะอยู่ในระดับหลักแสนบาทต่อแถวอย่างแน่นอน
source: wccftech
